中國狂追韓廠!HBM差距縮至3年、DRAM兩年、NAND 1年

韓國半導體協會(KSIA)13日報告指出,韓國與中國在記憶體的技術差距迅速縮小,在高頻寬記憶體(HBM)方面,該差距已縮小至3年、DRAM 2年、NAND快閃記憶體1年。...…

媒體來源:自由 - 2026-09-16 17:07:38 (52 天前)
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