根據韓國科技媒體《The Elec》指出，三星電子在第七代高頻寬記憶體（HBM）HBM4E 的開發進度再向前推進，關鍵的「基底晶片（Base Die）」已進入後段實體設計階段，象徵整體研發流程跨過重要里程碑。 《詳全文...》